一台83億！ASML「天價EUV曝光機」，將掀資本支出大戰

半導體先進製程關鍵之一就是曝光設備。一方面曝光設備佔所有先進製程製造設備成本22%左右，也佔製造工時20%左右，另一方面，全球僅荷商艾司摩爾（ASML）生產先進極紫外光曝光設備（EUV），EUV又是進入10奈米以下先進製程的必備關鍵。半導體製造商要跨入先進製程，向ASML採購EUV曝光設備，必不可少。

目前ASML推出三代EUV曝光設備，分別是TWINSCAN NXE:3400B、NXE:3400C、NXE:3600D，數值孔徑都為0.33。理論上，三代EUV曝光設備生產的晶片精度最多2奈米左右，一旦進入2奈米節點以下，也就是埃米（1埃米＝0.1奈米）時，ASML還得研發更高精準度的曝光設備才行，稱為High NA（高數值孔徑）EUV曝光設備。

ASML也早有準備。下一代高精準度EUV曝光設備型號為EXE:5000，數值孔徑為0.55，可用於2奈米節點以下晶片製造，如1.4奈米（14埃米）、1奈米（10埃米）等製程。2020年底媒體報導，ASML已基本研發完成高精準度EUV曝光設備，且正在試產，預計2022年就開始商用。日前，比利時微電子研究中心（imec）也表示，ASML的EXE:5000 EUV曝光設備將在2022年至2023年起供貨。

雖然ASML會於2022年至2023年起，提供EXE:5000高精準度EUV曝光設備，不過要以新曝光設備生產2奈米節點以下先進製程晶片，至少要到2025年後。據imec 11月ITF大會先進製程節點演進狀況，2025年開始推出A14（A14＝1.4奈米）製程節點、2027年推出A10（10＝1奈米）製程節點、2029年推出A7（A7＝0.7奈米）製程節點。

市場分析師也表示，ASML NXE:5000型號0.55高數值孔徑EUV曝光設備，預計每套售價高達3億美元（約新台幣83.5億元），是0.33孔徑EUV曝光設備1倍，對半導體製造廠是另一驚人資本支出高峰期。目前僅台積電、三星、英特爾等3家廠商，有能力持續研發先進製程，未來競爭高數值孔徑EUV曝光設備搶得先機，將是難以避免的戲碼。

＊本文獲「科技新報」授權轉載，原文：下世代高數值孔徑 EUV 售價逾 80 億元，屆時再掀資本支出大戰

責任編輯：李頤欣
核稿編輯：易佳蓉