全球記憶體晶片龍頭三星電子將於未來三年斥資70億美元(約新台幣2,045億元),擴大中國西安廠區儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產能,增幅約67%,新廠預計本月底動土。

三星新產能開出,將大幅增加市場供給、牽動報價走勢,若報價因而走跌,不利旺宏、威剛、創見等台灣相關廠商。

這是三星去年宣布增產DRAM之後,再次在記憶體晶片領域砸下重金擴產,為全球記憶體市場再次投下一顆震撼彈。

另東芝、美光等NAND晶片大廠也都同步擴充產能,以及大陸紫光集團旗下長江存儲產能明年大舉開出,都將牽動未來報價走勢,市場高度關注。

三星位於西安的記憶體廠,目前主力產品全為NAND Flash。三星規劃,將在本月底舉行新廠動土儀式,新廠完成後,西安NAND Flash月產能將由目前的12萬片增至20萬片,增幅 67%。

三星西安NAND Flash生產線,是三星極為重要的生產據點,這項擴建案一度因南韓部屬薩德飛彈系統事件,中國對南韓實施經濟制裁,導致南韓政府一度要求三星重新考慮在西安的投資,並以在南韓投資為優先而出現波折,但現在則順利進行。

三星當時為回應南韓政府的期許,也決定在南韓啟動晶圓代工事業和DRAM的投資,包括改裝南韓華城廠16號線,將原本生產2D NAND Flash改生產DRAM。另平澤廠也決定打造新DRAM產線,第一階段產能預定下半年開出。

三星砸2千億 NAND在陸擴產
表格:經濟日報提供

記憶體殺價競爭...明年掀風暴

南韓三星、SK海力士,以及美光等三大主要記憶體晶片廠重啟產能擴建行動,加上中國大陸大基金與紫光集團同步加碼投入記憶體的資金和人力,市調機構示警,明年記憶體市場將再陷激烈殺價競爭風暴,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)供過於求的情況恐更甚於DRAM。

在三星、SK海力士、東芝、美光等主要記憶體廠去年都同步擴增NAND Flash下,去年第4季NAND Flash價格下滑,結束連六季上漲的多頭行情,首季價格持續因需求疲弱持續走低。

法人分析,在市場對價格極度敏感下,三星決定在本月底啟動西安廠NAND Flash擴建案,無疑加深明年NAND Flash供過於求疑慮。

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