快閃記憶體大變革,全球大廠比試PCM技術

旺宏研究耀眼 在重量級論文掛頭牌

英特爾預估,現有記憶體技術四年後面臨瓶頸,如何突破成了半導體業界共同的挑戰,旺宏電子布局五年,近期在國際研討會嶄露頭角……

運動史上有名的「貝蒙障礙」,是指美國跳遠選手貝蒙(Robert Beamon)於一九六八年墨西哥奧運,跳出八公尺九○的世界紀錄後,這紀錄保持二十多年,始終無人能夠超越。此後,人們便以「貝蒙障礙」形容極難超越的關卡瓶頸。

半導體記憶體技術的發展,也正面臨著「貝蒙障礙」。

隨著製程技術一代代發展,晶片上電路線寬越來越微細,英特爾(Intel)早已預估,到了四五奈米時,因浮動閘(floating gate)的微縮技術已達物理極限,很難再繼續縮小。發明NOR快閃記憶體的英特爾曾預估,現有技術大約可延續至二○一○年左右,屆時將遇上撞牆期。

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