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2014年12月8日,諾貝爾獎紀念演講在瑞典斯德哥爾摩大學舉行,在獲得物理學獎的3人中,中村修二最後登臺。他在演講中回顧了藍色LED的研究過程,強調了在高亮度化中不可缺少的InGaN的重要性。此外,他還介紹了目前重點推進的研究——使用雷射器的照明。

在演講中,中村說他「在基於GaN的藍色LED領域是新人」,但他獲得的成果已趕上並超越了赤崎與天野的研究小組率先得出的各種數據。其原動力就是「雙流MOCVD」。

InGaN不可或缺
中村使用雙流MOCVD裝置實現了基於InGaN的雙異質接面結構,實現了藍色LED的高亮度化,從而推動了實用化進程。

以前業內普遍認為,不將GaN晶體內被稱為「位錯」的晶體缺陷減至103個/cm2,就不會發出明亮的光,但使用InGaN後,即使這一缺陷多達109個/cm2,也能實現高亮度發光。正是InGaN的這種特性推動了藍色LED及其之後的藍紫色半導體雷射器的實現。

那麼,為何InGaN在晶體缺陷多的情況下仍可發光呢?在介紹其原理時,中村引用日本東北大學教授秩父重英的研究成果稱,「與In的局域化效應有關」。

雷射器將取代LED
中村在回顧藍色LED的研究後,介紹了目前正在著力研究的利用半導體雷射器的照明。藍色LED存在「光效下降(Droop)」問題,越是高亮度,就越難提高效率。而雷射器不存在這一問題,「與LED照明相比,雷射照明可實現非常高的效率」(中村)。因此中村預計,雷射照明將來會取代LED照明。

最後,中村特意抽出時間發表了致謝,感謝日亞化學工業創始人、同意開發藍色LED並為此提供支援的小川信雄。並且,中村還向延續小川信雄足跡的現任社長小川英治,以及包括當時的部下在內的日亞化學工業的全體員工表達了謝意。另外,中村還向加州大學聖塔芭芭拉分校(UCSB)的同事們表示了謝意。(記者:根津 禎,《日經電子》

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